Flash-EEPROM ~ je zrýchlená EEPROM.
V porovnaní s klasickou EEPROM dovoľuje zapisovať (mazať) do viacerých častí pamäte v jednej operácii programu, tzn. vyššiu rýchlosť zápisu. Flash pamäť podobne ako EEPROM uchováva obsah pamäte aj bez napájania elektrickou energiou.
Pamäť je vnútorne organizovaná po blokoch a na rozdiel od pamätí typu EEPROM je možné programovať každý blok samostatne a obsah ostatných blokov je zachovaný. Pamäť sa používa ako pamäť typu ROM napr. pre uloženie firmware (napr. vo vstavaných zariadeniach). Výhodou tejto pamäte je, že ju možno znova naprogramovať, meniť jej obsah (napr. preprogramovanie novšou verziou firmware) bez vybratia zo zariadenia s použitím minima pomocných obvodov. Preto sa používa najmä ako základ kapacitných pamäťových médií kariet, napr. (SD, MICRO-SD).
Flash bunka je naprogramovaná (nastavená na špecifickú hodnotu) spustením toku elektrónov zo zdroja (Source) do odvodu (Drain). Privedenie veľkého napätia na CG potom poskytne dostatočne silné elektrické pole pre ich vysatie na FG. Na vymazanie flash bunky je veľký napäťový rozdiel privedený medzi CG a zdroj (Source), čo odvedie elektróny preč cez kvantový tunel. Súčasné flash pamäte sú rozdelené do vymazateľných častí nazývaných buď bloky, alebo sektory. Všetky pamäťové bunky v rámci jedného bloku musia byť vymazané súčasne.
Pridaj komentár